深圳市明佳达电子有限公司供应英飞凌功率晶体管_IPA80R1K4P7_N沟道_800V CoolMOS™ P7 功率MOSFET_效率与热性能的新标杆产品概述IPA80R1K4P7 是 英飞凌推出的 800V CoolMOS™ P7 系列超结MOSFET，采用 TO-220-3 封装，专为 低功率开关电源（SMPS） 应用优化设计。该器件基…
深圳市明佳达电子有限公司供应英飞凌功率晶体管_IPA80R1K4P7_N沟道_800V CoolMOS™ P7 功率MOSFET_效率与热性能的新标杆
产品概述
IPA80R1K4P7 是 英飞凌推出的 800V CoolMOS™ P7 系列超结MOSFET，采用 TO-220-3 封装，专为 低功率开关电源（SMPS） 应用优化设计。该器件基于 超级结技术，具有 低导通电阻、高开关效率 和 优异的热性能，可显著提升系统能效和功率密度。
IPA80R1K4P7 主要适用于反激式拓扑结构，广泛应用于适配器、充电器、LED驱动器、音频SMPS、工业电源及辅助电源 等领域。
核心特性
业界领先的 FOM，降低开关损耗，提升效率
低导通电阻（1.4Ω @ 10V），减少功率损耗
3V 栅极阈值电压，最小变化仅 ±0.5V，易于驱动
集成齐纳二极管 ESD 保护（符合 HBM 2 级标准），提高抗静电能力
优化的开关性能，降低 Qg、，减少开关损耗
工业级可靠性，符合 JEDEC 标准，适用于严苛环境
性能优势
相比前代 CoolMOS™ C3，效率提升 0.6%，MOSFET 温度降低 2°C~8°C
支持更高功率密度设计，减少 BOM 成本和组装成本
易于驱动和并联，简化电路设计
减少 ESD 相关故障，提高生产良率
IPA80R1K4P7参数：
ID 最大值：4 A
ID（@25°C）最大值：4 A
IDpuls 最大值：8.9 A
安装方式：THT
工作温度：-55 °C 至 150 °C
封装：TO220 FullPAK
引脚数：3 引脚
极性：N
Ptot 最大值：24 W
Qgd：5 nC
QG：10 nC
QG（典型值 @10V）：10 nC
RDS（导通）最大值：1400 mΩ
RDS（导通）（@10V）最大值：1400 mΩ
RthJA 最大值：80 K/W
RthJC 最大值：5.1 K/W
Rth：5.1 K/W
特殊功能：性价比
VDS 最大值：800 V
VGS(th)：3 V
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