【出售原装】VND5N07TR（ST）OMNIFET II™系列低侧开关IC深圳市明佳达电子有限公司——长期供应ST（VND5N07TR）低侧开关——OMNIFET II™系列 全自动保护功率MOSFET，产品详情如下所示：ST【VND5N07TR】OMNIFET：全自动保护功率MOSFET——低侧开关概述__VND5N07TR：VND5N…
【出售原装】VND5N07TR（ST）OMNIFET II™系列低侧开关IC
深圳市明佳达电子有限公司——长期供应ST（VND5N07TR）低侧开关——OMNIFET II™系列 全自动保护功率MOSFET，产品详情如下所示：
ST【VND5N07TR】OMNIFET：全自动保护功率MOSFET——低侧开关
概述__VND5N07TR：
VND5N07TR 是一款采用 ST®VIPower®M0 技术设计的单片器件，旨在替代直流至 50 kHz 应用中的标准功率 MOSFET。VND5N07TR 内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境中保护芯片。 VND5N07TR 通过监测输入引脚的电压，可检测故障反馈。
VND5N07TR 规格参数：
系列：OMNIFET II™, VIPower™
开关类型：通用
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：低端
输出类型：N 通道
接口：开/关
电压 - 负载：55V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：不需要
电流 - 输出（最大值）：3.5A
导通电阻（典型值）：200 毫欧（最大）
输入类型：非反相
故障保护：限流（固定），超温，过压
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DPAK
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
VND5N07TR 产品功能：
线性电流限制
热关断
短路保护
集成钳位
输入引脚低电流消耗
通过输入引脚提供诊断反馈
静电放电保护
直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
兼容标准功率MOSFET
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