深圳市明佳达电子有限公司原装供应IGBT晶体管 FGA40N65SMD和FGA40T65SHD 场截止 IGBT 650 V，40 A器件型号：FGA40N65SMD，FGA40T65SHD类别：IGBT 晶体管制造商： onsemi 包装： 管件 零件状态： 在售 IGBT 类型： 场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 …
深圳市明佳达电子有限公司原装供应IGBT晶体管 FGA40N65SMD和FGA40T65SHD 场截止 IGBT 650 V，40 A
器件型号：FGA40N65SMD，FGA40T65SHD
类别：IGBT 晶体管
制造商： onsemi
包装： 管件
零件状态： 在售
IGBT 类型： 场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V @ 15V，40A
功率 - 最大值： 349 W
开关能量： 820µJ（开），260µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 119 nC
25°C 时 Td（开/关）：值 12ns/92ns
测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)： 42 ns
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装： TO-3PN
概览
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
特性
最大结温TJ =175 °C
正温度系数，易于并联运行
高电流能力
低饱和电压：VCE(sat) =1.9V（典型值）@ IC = 40A
快速开关：EOFF =6.5uJ/A
紧密的参数分布
符合 RoHS 标准
应用
发电和配电
不间断电源
其他工业
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