明佳达公司供求英飞凌 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1，采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200 V、7 mΩ SiC 沟槽 MOSFET。
明佳达公司供应英飞凌 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1沟槽型碳化硅MOSFET
说明：采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200 V、7 mΩ SiC 沟槽 MOSFET。
规格
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 750W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
应用
电池化成
电动汽车快速充电
电机控制和驱动
光伏能源系统解决方案
不间断电源 (UPS)
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