ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器深圳市明佳达电子有限公司作为一家在电子元器件领域有着丰富经验和良好信誉的公司。长期供应 ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器，为电源转换领域带来高性能、高可靠性的解决方案。LTC4449IDCB 产品描述LTC444…
ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
深圳市明佳达电子有限公司作为一家在电子元器件领域有着丰富经验和良好信誉的公司。长期供应 ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器，为电源转换领域带来高性能、高可靠性的解决方案。
LTC4449IDCB 产品描述
LTC4449IDCB 是一款高频栅极驱动器，设计用于驱动同步 DC/DC 转换器中的两个 N 沟道 MOSFET。强大的轨至轨驱动器功能可降低具有高栅电容的 MOSFET 的开关损耗。
LTC4449IDCB 为输入逻辑提供独立电源，以匹配控制器 IC 的信号摆幅。如果输入信号未被驱动，LTC4449IDCB 将激活关断模式，关闭两个外部 MOSFET。输入逻辑信号在内部电平转换至自举电源，在高达 42V 的接地电压下工作。
LTC4449IDCB 在驱动器和逻辑电源上都包含欠压锁定电路，当出现欠压条件时，可关闭外部 MOSFET。该器件还内置了自适应击穿保护功能，以防止 MOSFET 跨导电流造成功率损耗。
LTC4449IDCB 采用 2mm × 3mm DFN 封装。
LTC4449IDCB 规格
产品： MOSFET 栅极驱动器 MOSFET 栅极驱动器
类型： 高压侧、低压侧 高压侧、低压侧
安装方式： SMD/SMT SMD/SMT
封装/外壳 DFN-8
驱动器数量：2 驱动器
输出数：2 输出
输出电流：4.5 A
电源电压 - 最低 4 V
电源电压 - 最大值： 6.5 V
上升时间：8 ns
下降时间：7 ns
最低工作温度：- 40 ℃
最高工作温度 + 125 ℃
输入电压 - 最大值： 38 V
工作电源电流： 730 uA
LTC4449IDCB 的特性
4V 至 6.5V VCC 工作电压
38V 最大输入电源电压
自适应击穿保护
轨至轨输出驱动器
3.2A 峰值上拉电流
4.5A 峰值下拉电流
8ns TG 上升时间（驱动 3000pF 负载
7ns TG 下降时间，驱动 3000pF 负载
独立供电以匹配 PWM 控制器
驱动双 N 沟道 MOSFET
欠压锁定
扁平 (0.75mm) 2mm × 3mm DFN 封装
LTC4449IDCB 的应用
LTC4449IDCB 的出色性能使其能够用于各种应用。在高效率降压或升压 DC/DC 转换器中，LTC4449IDCB 凭借其强大的栅极驱动能力和低开关损耗，可显著提高电源转换效率，为设备提供稳定可靠的电源。在汽车电子领域，面对复杂的电气环境和对电源稳定性的高要求，LTC4449IDCB 的高耐压、高驱动能力和保护功能可确保汽车电子系统的正常运行。在工业自动化设备中，LTC4449IDCB 的快速响应和高可靠性可以满足设备对电源快速切换和稳定输出的需求，提高设备的效率和稳定性。
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