型号:IPS65R1K4C6 品牌:Infineon 批号:21+ 封装:TO-251类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商Infineon Technologies系列CoolMOS™包装管件FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.2A(Tc)…
型号:IPS65R1K4C6
品牌:Infineon
批号:21+
封装:TO-251
类型 | 描述 |
---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商 | Infineon Technologies |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.4 欧姆 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 225 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 28W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO251-3-11 |
封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |
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