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供求内存IC(4Gb)IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 动态随机存取存储器

供求内存IC(4Gb)IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 动态随机存取存储器

来源:本站时间:2023-12-06浏览数:

明佳达公司供应,收购内存IC IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz供求型号:IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI批次:新封装:134-TFBGA、168-VFBGA长期高价现金回收个人和工厂库存电子元件,只回收…

明佳达公司供应,收购内存IC IS43LD32128B-18BLIIS43LD32128B-18BPLI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz


供求型号:IS43LD32128B-18BLIIS43LD32128B-18BPLI

批次:新

封装:134-TFBGA、168-VFBGA


长期高价现金回收个人和工厂库存电子元件,只回收正规渠道货源,如代理商、贸易商、终端工厂等。


产品介绍:

IS43LD32128B-18BLIIS43LD32128B-18BPLI是 4Gbit CMOS LPDDR2 DRAM。该器件由 8 组 32 位的 16 兆字组构成。该产品采用双数据速率架构来实现高速运行。双数据速率架构本质上是一种 4N 预取架构,其接口设计用于在 I/O 引脚上每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供与时钟上升沿和下降沿完全同步的操作。数据路径采用内部流水线和 4n 位预取,以实现极高的带宽。


产品属性

存储器类型: 易失  

存储器格式: DRAM  

技术: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4  

存储容量: 4Gb  

存储器组织:128M x 32  

存储器接口: HSUL_12  

时钟频率; 533 MHz  

写周期时间 - 字,页: 15ns  

访问时间: 5.5 ns  

电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V  

工作温度: -40°C ~ 85°C(TC)  

安装类型: 表面贴装型 


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