深圳市明佳达电子有限公司推出意法半导体功率晶体管_STGB19NC60KDT4_短路保护IGBT 20 A、600 V、125 W 表面贴装型 D2PAK描述：STGB19NC60KDT4一款高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），属于 600V IGBT with Trench Technology 系列。该器件采用先进的 PowerMESH™ 技术，具有…
深圳市明佳达电子有限公司推出意法半导体功率晶体管_STGB19NC60KDT4_短路保护IGBT 20 A、600 V、125 W 表面贴装型 D2PAK
描述：
STGB19NC60KDT4一款高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），属于 600V IGBT with Trench Technology 系列。该器件采用先进的 PowerMESH™ 技术，具有卓越的开关性能和低导通损耗。
STGB19NC60KDT4广泛应用于以下领域：
工业驱动：电机控制、焊接设备、数控机床等
电源系统：开关电源、逆变器、充电器
可再生能源：太阳能逆变器、风力发电
电动汽车：电机驱动
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) ：75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） ：2.75V @ 15V，12A
功率 - 最大值： 125 W
开关能量： 165µJ（导通），255µJ（关断）
输入类型： 标准
栅极电荷： 55 nC
25°C 时 Td（开/关）值： 30ns/105ns
测试条件： 480V，12A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr) ：31 ns
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
封装/外壳： TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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