IPB100N04S4-H2器件是一款由英飞凌（Infineon）生产的OptiMOS-T2 Power-Transistor，属于功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有稳健的线性工作模式和较低的RDS(on)，能够在工作期间将损耗降至最低，同时提供宽安全工作区(SOA)，确保在高浪涌电流下不会对负载造成损害…
IPB100N04S4-H2器件是一款由英飞凌（Infineon）生产的OptiMOS-T2 Power-Transistor，属于功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有稳健的线性工作模式和较低的RDS(on)，能够在工作期间将损耗降至最低，同时提供宽安全工作区(SOA)，确保在高浪涌电流下不会对负载造成损害。
特征描述
N 通道 - 增强模式
AEC 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 的工作温度
环保产品（符合 RoHS）
100% 经过雪崩测试
优势
40V 时， RDS (on)为世界极低值
极高的冲击电流能力
极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率
稳固的封装，出色的品质，高可靠性
优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级
潜在应用
OptiMOS-T2 40V 适用于各种 EPS 电机控制、三相和 H 桥电机、HVAC 风扇控制、电动泵等，特别适合与 PWM 控制结合使用。
OptiMOS-T2 40V 产品基于英飞凌先进沟槽栅技术，将成为下一代高能效、低 CO2 排放、电驱动汽车应用的标杆。
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