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IPB042N10N3G器件是一款100V OptiMOS™ 功率 MOSFET

IPB042N10N3G器件是一款100V OptiMOS™ 功率 MOSFET

来源:本站时间:2025-01-15浏览数:

概述IPB042N10N3G器件是英飞凌推出的一款100V OptiMOS™ 功率 MOSFET,它可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 RDs(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。特征描述优异的开关性能世界较低的 (R Ds(on))极低的 Qg 和…

概述

IPB042N10N3G器件是英飞凌推出的一款100V OptiMOS™ 功率 MOSFET,它可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 RDs(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。


特征描述

优异的开关性能

世界较低的 (R Ds(on))

极低的 Qg 和 Qgd

出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)

符合 RoHS 标准 - 无卤素

MSL1 评级 2


优势

环保

提高效率

极高的功率密度

减少并联

极低的板空间消耗

产品易于设计


潜在应用

AC-DC SMPS的同步整流

48V-80V 系统的电机控制(即家用车辆、电动工具、卡车)

隔离式 DC-DC 转换器(电讯和数据通信系统)

48V系统的开关和断路器

D 类音频放大器

不间断电源 (UPS)

IPB042N10N3G.jpg

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