深圳市明佳达电子有限公司分销英飞凌【MOSFET晶体管】BSC010N04LST OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。BSC010N04LST 器件描述：BSC010N04LST 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TDSON-8-EP(5.1x5.9) 封装。该芯片具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点，适用…
深圳市明佳达电子有限公司分销英飞凌【MOSFET晶体管】BSC010N04LST OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。
BSC010N04LST 器件描述：
BSC010N04LST 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TDSON-8-EP(5.1x5.9) 封装。该芯片具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点，适用于各种高功率密度的应用场景。
BSC010N04LST 主要特性：
漏源电压 (Vdss)：40V
连续漏极电流 (Id)：100A
导通电阻 (RDS(on))：1mΩ @ 10V, 50A
耗散功率 (Pd)：167W
阈值电压 (Vgs(th))：1.2V @ 250uA
栅极电荷量 (Qg)：95nC
输入电容 (Ciss@Vds)：9.52nF @ 20V
反向传输电容 (Crss)：320pF @ 20V
工作温度：-55℃ ~ +175℃
封装：TDSON-8-EP(5.1x5.9)
BSC010N04LST MOSFET晶体管适用于以下领域：
电源管理
电机驱动
逆变器
电池管理系统
工业自动化
汽车电子
如有需求，请来电联系陈先生：
QQ：1668527835
电话：13410018555
邮箱：chen13410018555@163.com
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
最新资讯
