概述：THGAMRG8T13BAIL e-MMC™ NAND闪存采用比特列堆叠 （BiCS） FLASH 3D 技术。该闪存为需要以经济高效的方式存储更高数据量的应用提供了最佳解决方案。THGAM eMMC 闪存完全符合多媒体卡协会（MMCA）高速内存接口标准。这些闪存符合最新的 JEDEC 5.1 版。THGAM eMMC 闪…
概述：
THGAMRG8T13BAIL e-MMC™ NAND闪存采用比特列堆叠 （BiCS） FLASH 3D 技术。该闪存为需要以经济高效的方式存储更高数据量的应用提供了最佳解决方案。THGAM eMMC 闪存完全符合多媒体卡协会（MMCA）高速内存接口标准。这些闪存符合最新的 JEDEC 5.1 版。
THGAM eMMC 闪存具有集成的内存管理功能，包括纠错码、坏块管理、磨损均衡和垃圾回收。这些闪存采用 FBGA 封装和标准（-25°C 至 +85°C）温度版本。典型应用包括消费电子、多媒体、智能计量和智能照明。
特征
32GB 内存
BiCS 3D NAND 技术
多层单元 （MLC） 技术
符合最新的 JEDEC 5.1 版
集成内存管理：
纠错码
坏块管理
磨损均衡
垃圾回收
更高的接口速度 HS400，符合 JEDEC 5.1 标准
托管内存
将高质量 Toshiba MLC NAND 闪存与 Toshiba 原产开发的控制器相结合
-25°C 至 +85°C 工作温度范围（标准）
FBGA 封装
应用
工业
消费电子产品
多媒体
智能计量
智能照明
智能应用
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