深圳市明佳达电子有限公司 供应,收购 IKW30N65ET7XKSA1 IGBT 沟槽式场截止晶体管产品介绍IKW30N65ET7XKSA1是一种高效的短路坚固型分立IGBT,其饱和电压比其他产品至少低10%。规格集电极-发射极电压VCEO最大值:650 V集电极-发射器饱和电压:1.35 V 最大栅极发射器电压:…
深圳市明佳达电子有限公司 供应,收购 IKW30N65ET7XKSA1 IGBT 沟槽式场截止晶体管
产品介绍
IKW30N65ET7XKSA1是一种高效的短路坚固型分立IGBT,其饱和电压比其他产品至少低10%。
规格
集电极-发射极电压VCEO最大值:650 V
集电极-发射器饱和电压:1.35 V
最大栅极发射器电压:- 20 V,20 V
25 C时的连续集电极电流:60 A
Pd - 功率耗散:188 W
最低工作温度:- 40 C
最高工作温度:+ 175 C
特点
VCE = 650 V
IC = 30 A
非常低的VCEsat
低关断损耗
尾部电流短
减少了EMI
耐湿性设计
非常柔软、快速恢复的反并联二极管
最高结温Tvjmax = 175°C
符合JEDEC的目标应用资格
无铅镀层;符合RoHS标准
应用
伺服驱动器
通用驱动器(GPD)
工业电源
工业用UPS
工业用SMPS
能源发电
太阳能优化器
太阳能组串逆变器
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