简介SLG59M1717V 是一款高性能 4 mΩ、5 A 单通道 nFET 负载开关,采用 2.5 V 至 5.5 V 电源供电,额定温度范围为 -40 C 至 85 C 工业温度范围,专为所有 0.8 V 至 5.5 V 电源轨应用而设计。SLG59M1717V具有可调节的浪涌电流控制功能,这是通过使用外部电容器调节 VOUT 转…
简介
SLG59M1717V 是一款高性能 4 mΩ、5 A 单通道 nFET 负载开关,采用 2.5 V 至 5.5 V 电源供电,额定温度范围为 -40 °C 至 85 °C 工业温度范围,专为所有 0.8 V 至 5.5 V 电源轨应用而设计。
SLG59M1717V具有可调节的浪涌电流控制功能,这是通过使用外部电容器调节 VOUT 转换速率来实现的。该 SLG59M1717V 采用专有的 MOSFET 设计,可在宽输入/电源电压范围内实现稳定的 4 mΩ RDSON。
SLG59M1717V 还集成了电阻器可调电流限制和热保护功能。该器件采用瑞萨电子专有的 CuFET™ 技术进行大电流操作,采用节省空间、低热阻、符合 RoHS 标准的 1.6 mm x 2.5 mm STQFN 封装。
应用
• 笔记本电脑电源轨切换
• 平板电脑电源轨切换
• 智能手机电源轨切换
特征
• 低典型 RDSON nFET 模块:4 mΩ
• 最大连续开关电流:高达 5 A
• 电源电压:2.5 V ≤ VDD ≤ 5.5 V
• 宽输入电压范围:0.8 V ≤ VIN ≤ VDD
• 电容器可调启动和浪涌电流控制
• 两级过流保护:
• 电阻器可调的有源电流限制
• 固定 1.6 A 短路电流限制
• 热关断保护
• 开漏 PG 信号
• 工作温度:-40 °C 至 85 °C
• 低 θJA、16 引脚 1.6 mm x 2.5 mm STQFN
• 无铅 / 无卤素 / 符合 RoHS 标准
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