深圳市明佳达电子有限公司 供应 Qorvo 射频晶体管：砷化镓 pHEMT、氮化镓 HEMT、碳化硅 FET、碳化硅 JFET深圳市明佳达电子有限公司是一家专业的电子元器件供应商。专营高端器件，射频器件，5G器件，新能源IC，高端连接器，以及一些冷门、偏门、缺货的各类电子元器件。我们…
深圳市明佳达电子有限公司 供应 Qorvo 射频晶体管：砷化镓 pHEMT、氮化镓 HEMT、碳化硅 FET、碳化硅 JFET
深圳市明佳达电子有限公司是一家专业的电子元器件供应商。专营高端器件，射频器件，5G器件，新能源IC，高端连接器，以及一些冷门、偏门、缺货的各类电子元器件。我们与全球知名的电子元器件制造商建立了紧密的合作关系，确保所供应的元器件均来自正规渠道，品质可靠。
砷化镓 pHEMT
Qorvo 采用最先进的超低噪声 0.15 µm pHEMT 和 0.25 µm E-pHEMT 工艺，提供各种分立晶体管元件。这些分立器件允许客户在设计低噪声放大器 (LNA) 电路时进行全面控制。各种分立 FET 的 NF（最小值）低至 0.15 dB，频率高达 22 GHz。还提供配对晶体管，是平衡 LNA 设计的理想之选。
GaN HEMT
Qorvo 提供广泛的氮化镓（GaN）分立晶体管产品组合，具有不同的额定功率、电压和频率水平，既有裸片级解决方案，也有封装解决方案。我们的产品不仅具有氮化镓的高性能，而且采用了方便的行业标准封装，从而加快了设计和制造速度，所有这些都有我们业界领先的可靠性作为后盾。
SiC FET
Qorvo 的高性能碳化硅 (SiC) FET 具有同类最佳的开关速度、更低的开关损耗、更高的效率、标准通孔（包括开尔文封装）和表面贴装封装，而且成本效益极佳。这些 FET 基于独特的级联配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 与级联优化的 Si-MOSFET 共同封装，实现了标准栅极驱动 SiC 器件的运行。这些器件大多通过了 AEC-Q101 认证。
SiC JFET
这些 SiC JFET 具有超低导通电阻 (RDS(on))，起始值仅为 4 mΩ，而低栅极电荷 (QG) 则进一步降低了传导和开关损耗。
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