明佳达电子全新原装英飞凌车规级MOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS™- 6 功率晶体管，40V，N-Ch，最大 1.5 mΩ，SS08 (5x6)产品概述：IAUC100N04S6N015是一款40V，N沟道，最大导通电阻（RDS(on)）为1.5 mΩ的汽车级MOSFET，采用SS08（5x6mm）封装。特征：OptiMOS™技术专为…
明佳达电子全新原装英飞凌车规级MOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS™- 6 功率晶体管，40V，N-Ch，最大 1.5 mΩ，SS08 (5x6)
产品概述：
IAUC100N04S6N015是一款40V，N沟道，最大导通电阻（RDS(on)）为1.5 mΩ的汽车级MOSFET，采用SS08（5x6mm²）封装。
特征：
OptiMOS™技术专为汽车应用设计。
N沟道增强型模式。
符合AEC Q101标准，适用于汽车级应用。
最高工作温度达到175°C。
绿色环保产品（符合RoHS标准）。
100%雪崩测试。
电气特性：
连续漏极电流（I_D）：100A。
导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）：在V_GS=10V，Id=50A时最大值为1.55mΩ。
阈值电压（Vgs(th)@Id）：在Id=150uA时为3V。
产品属性：
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3470 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）： 100W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
等级： 汽车级
资质： AEC-Q101
安装类型： 表面贴装型
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