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汽车级MOSFET IAUCN04S6N009T OptiMOS™ 6 功率晶体管

汽车级MOSFET IAUCN04S6N009T OptiMOS™ 6 功率晶体管

来源:本站时间:2024-12-14浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌汽车级MOSFET IAUCN04S6N009T OptiMOS™ 6 功率晶体管,英飞凌结合领先的 OptiMOS™ MOSFET 技术推出新型顶部冷却封装 SSO10T TSC器件描述IAUCN04S6N009T是英飞凌生产的OptiMOS™ 6系列功率MOSFET,采用英飞凌最新的沟槽技术,提供…

深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌汽车级MOSFET IAUCN04S6N009T OptiMOS™ 6 功率晶体管,英飞凌结合领先的 OptiMOS™ MOSFET 技术推出新型顶部冷却封装 SSO10T TSC


器件描述

IAUCN04S6N009T是英飞凌生产的OptiMOS™ 6系列功率MOSFET,采用英飞凌最新的沟槽技术,提供超低的导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能。SSO10T TSC封装,JEDEC列表中,适用于开放市场和广泛的第二来源兼容性。

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一般汽车应用:

电动助力转向

断电开关

区域控制装置

电子保险丝盒

直流/直流

ABS 制动、电子助力器

所有汽车应用

各种无刷直流驱动装置


功能特点

• 用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET

•  N 沟道 - 增强模式 - 正常电平

• 超越 AEC-Q101 的扩展鉴定

• 增强型电气测试

• 稳健的设计

• MSL1 峰值回流温度高达 260°C

• 175°C 工作温度

• 符合 RoHS 规范

• 100% 雪崩测试

• 顶部冷却


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