供求【TI 汽车芯片】UCC21755QDWRQ1汽车栅极驱动器

产品分类

最新资讯: 公司动态; 行业资讯

首页 /公司动态 /

供求【TI 汽车芯片】UCC21755QDWRQ1汽车栅极驱动器

来源：本站时间：2023-04-28浏览数：

深圳市明佳达电子有限公司出售【TI 汽车芯片】UCC21755QDWRQ1汽车栅极驱动器。产品概述：UCC21755QDWRQ1汽车栅极驱动器设计用于高达2121Vpk的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高级保护特性、同类最佳的动态性能以及稳健性。器件还具有高达10A峰值拉电流和灌电流。输入侧…

深圳市明佳达电子有限公司出售【TI 汽车芯片】UCC21755QDWRQ1汽车栅极驱动器。

产品概述：

UCC21755QDWRQ1汽车栅极驱动器设计用于高达2121Vpk的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高级保护特性、同类最佳的动态性能以及稳健性。器件还具有高达±10A峰值拉电流和灌电流。输入侧与输出侧隔离，采用SiO2电容式隔离技术，支持高达1.5kVRMS工作电压、12.8kVPK浪涌抗扰度（隔离栅寿命超过40年）以及具有较低的零件间偏移和>150V/ns共模噪声抑制能力 (CMTI)。

UCC21755-Q1器件具有先进的保护特性，其中包括快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT的开关行为。

UCC21755QDWRQ1器件规格：

技术：容性耦合

通道数：1

电压 - 隔离：5700Vrms

共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns

脉宽失真（最大）：30ns

上升/下降时间（典型值）：33ns，27ns

电流 - 输出高、低：10A，10A

电流 - 峰值输出：10A

电压 - 正向 (Vf)（典型值）：-