深圳市明佳达电子有限公司【供求TI】LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET器件驱动器。产品概述： LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器。LMG3522R030集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。…
深圳市明佳达电子有限公司【供求TI】LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET器件驱动器。
产品概述：
LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器。LMG3522R030集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI GaN FET的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成与TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制EMI并优化开关性能。
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET具有高级电源管理特性，包括数字温度报告和故障检测。报告的故障包括过热、过流和UVLO监控。
LMG3522R030RQSR产品规格：
输出配置：低端
应用：DC 电机，通用
接口：PWM
负载类型：电感，电容性，电阻
技术：NMOS
导通电阻（典型值）：26 毫欧
电流 - 输出/通道：38A
电流 - 峰值输出：-
电压 - 供电：7.5V ~ 18V
电压 - 负载：650V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
特性：-
故障保护：限流（可调），超温，短路，UVLO
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：52-VQFN、52-VQFN（12x12）
LMG3522R030RQSR GaN FET器件设计可用于：
开关模式电源转换器
商户网络和服务器PSU
商用电信用整流器
光伏逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
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