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NVB125N65S3——SUPERFET III MOSFET 是 onsemi 的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进的技术可最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。

NVB125N65S3（高压MOSFET）650V，24A，SuperFET® III 汽车 MOSFET 晶体管

型号：NVB125N65S3

封装：TO-263-3

类型：汽车 MOSFET 晶体管

规格参数：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 590µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1940 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：181W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-263（D2PAK）

封装/外壳：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

NVB125N65S3 应用：

车载充电器

用于混合动力汽车的车载 DC/DC 转换器

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