商品名称:A2P75S12M3-F
数据手册:A2P75S12M3-F.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:Module
货期:全新原装
库存数量:1000 件
A2P75S12M3-F采用六组拓扑结构,采用带 NTC 的 ACEPACK™ 2 封装、集成了意法半导体先进的沟槽栅极场截止技术。这种新型 IGBT 技术在传导损耗和开关损耗之间实现了最佳折衷,最大限度地降低了开关损耗。导通损耗和开关损耗之间的最佳折衷,最大限度地提高了任何转换器系统的效率,最高可达 20 kHz。
产品属性
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A
功率 - 最大值:454.5 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值);2.3V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):4.7 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ACEPACK™ 2
应用
• 变频器
• 工业
• 电机驱动
型号
品牌
封装
数量
描述
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