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LTC4371IMS是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器，其用于驱动外部 N 沟道MOSFET，可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除了增设散热器的需要，并缩减了 PC 板面积。可以很容易地把电源 “或” 连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。

主要特性

可控制 N 沟道 MOSFET 以替代功率肖特基二极管

15mV 的低正向电压较大限度地减少了耗散

可承受 > ±300V 的瞬变

快速关断：< 220ns

可针对高电压应用进行并联调节

4.5V 最小工作电压

350μA 的低静态电流

适合 60Hz 应用的 5mA 栅极上拉

高阻抗漏极引脚：<10μA 泄漏

熔丝开路和 MOSFET 监视器

10 引脚 (3mm x 3mm) DFN 和 MSOP 封装

LTC4371IMS广泛应用于以下领域：

–48V 电信电源

AdvancedTCA 系统

网络路由器和交换器

计算机系统 / 服务器

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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