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LTC4229IUFD通过控制两个外部 N 沟道 MOSFET 为一个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap™) 功能。LTC4229IUFD可调节外部 MOSFET 两端的正向压降，以确保在二极管“或”应用中实现平滑的电流转移。理想二极管快速接通以减小电源切换期间的负载电压降。

产品特点

LTC4229IUFD的特点主要包括：

用于冗余电源的理想二极管和浪涌电流控制

功率肖特基二极管的低损耗替代方案

可保护输出电压免受输入欠压的影响

允许在带电背板上安全地进行热插拔操作

2.9V 至 18V 工作范围

可控制背对背 N 沟道 MOSFET

可在 ≤1μs 的时间里实现对峰值故障电流的限制

具折返的可调电流限值

可调的启动和电流限制故障延迟

0.5μs 的理想二极管接通和关断时间

欠压和过压保护

状态、故障和电源良好输出

在发生故障之后执行锁断或自动重试操作 (可通过引脚来选择)

24 引脚 4mm x 5mm QFN 封装

应用领域

LTC4229IUFD适用于多种高可用性系统，如冗余电源、电源保持、高可用性系统和服务器、电信和网络基础设施等。

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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