采用 TOLL 封装的 IMT65R020M2H CoolSiC™ MOSFET 650 V 第 2 代 (G2) 是利用 CoolSiC™ G2 等高性能技术的趋势性选择。它克服了传统封装在热循环方面的限制,并改进了 .XT 互连以降低热阻。因此,既能充分利用碳化硅的特性,又能保持较小的尺寸,是功率密度的下一个合理进步。
IMT65R020M2H 的特点
优异的性能系数 (FOM)
同类最佳的 RDS(on)
出色的坚固性
灵活的驱动电压范围
引脚对引脚兼容所有 8x8 FET
通过 .XT 改进封装互连
最大 Tj=175°C
TCoB 中的 12k 周期
IMT65R020M2H 的优点
节省 BOM
最大限度地提高系统性能
可靠性最高,使用寿命更长
实现最高效率和功率密度
占用空间小,功率密度更高
最紧凑的子卡设计
充分利用碳化硅,占地面积小
IMT65R020M2H 的应用
智能电视的完整系统解决方案
储能系统
暖通空调 (HVAC)
微型逆变器解决方案
电源转换
型号
品牌
封装
数量
描述
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