CY7C1069GN30-10ZSXI 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，按 8 位 2,097,152 字组织。
CY7C1069GN 采用 54 引脚 TSOP II 和 48 极细间距球栅阵列 (VFBGA) 封装。
CY7C1069GN30-10ZSXI 的特点
高速
tAA = 10 毫微秒
低功耗
100 MHz 时 ICC = 90 mA
低互补金属氧化物半导体 (CMOS) 待机功耗
ISB2 = 20 mA（典型值）
工作电压为 2.2 V 至 3.6 V
1.0 V 数据保持
取消选择时自动断电
晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 兼容输入和输出
利用 CE1 和 CE2 功能轻松扩展存储器
采用无铅 54 引脚薄型小外形封装 (TSOP) II 类和 48 引脚极细间距球栅阵列 (VFBGA) 封装。
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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