VND5E025AKTR-E是一款双通道高压侧驱动器,采用意法半导体专有的 VIPower M0-5 技术制造,采用微型 PowerSSO-24 封装。VND5E025AKTR-E设计用于驱动 12 V 汽车接地负载,提供保护、诊断以及与任何微控制器兼容的 3 V 和 5 V CMOS 接口。
该器件集成了先进的保护功能,如负载电流限制、通过功率限制进行浪涌和过载主动管理、带自动重启功能的过温关断和过压主动箝位。每个输出通道都有一个专用的模拟电流检测引脚,以提供增强的诊断功能,包括通过功率限制指示快速检测过载和接地短路、过热指示、VCC 短路诊断以及通态和断态开载检测。通过将 CS_DIS 引脚拉高,可禁用整个器件的电流检测和诊断反馈功能,以便与其他类似器件共用外部检测电阻器。
所有功能
通过功率限制主动管理浪涌电流
待机电流极低
3.0 V CMOS 兼容输入
优化的电磁辐射
极低的电磁敏感性
符合 2002/95/EC 欧洲指令
极低的电流检测泄漏
诊断功能
比例负载电流检测
电流感应精度高,适用电流范围广
电流检测禁用
断态开路负载检测
输出短路至 VCC 检测
过载和接地短路(功率限制)指示
热关断指示
保护
欠压关断
过压钳位
负载电流限制
快速热瞬态自限制
接地和 VCC 丢失保护
过温关机,自动重启(热关机)
电池反接保护
静电放电保护
技术参数
型号: VND5E025AKTR-E
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 3 A
电源电压-最小: 4.5 V
电源电压-最大: 28 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
最大关闭延迟时间: 40 us
最大开启延迟时间: 20 us
工作电源电流: 3 mA
工作电源电压: 13 V
应用
所有类型的电阻、电感和电容负载
适合用作 LED 驱动器
型号
品牌
封装
数量
描述
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意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
STM32L443CCY6
STM32L443CCY6器件是一款基于80 Mhz Arm Cortex-M4内核的32位超低功耗微控制器,具有256KB 闪存以及64KB RAM,广泛应用于需要高精度计算和低功耗的嵌入式系统。技术规格STM32L443CCY6的主要规格包括:核心处理器:ARM Cortex-M4内核规格:32 位单核速度:80MHz连接能力:…STM32L433CBT7
STM32L433CBT7是一款由ST推出的基于ARM Cortex-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,其工作频率可达80 MHz,具有128KB 闪存以及64KB RAM。STM32L433CBT7单片机的主要参数如下:核心处理器:ARM Cortex-M4内核规格:32 位单核速度:80MHz连接能力:CANbus,I2C,IrDA,L…STM32L422CBU6
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STM32L4Q5CGT6是一款基于ARM Cortex-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率最高可达120 MHz。该微控制器配备了单精度浮点单元(FPU),支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型,并实现了完整的DSP(数字信号处理)指令集和一个内存保护单元(MPU),增强…STM32L552RET6
STM32L552RET6超低功耗MCU设计用于需要高安全性和低功耗的嵌入式应用。该MCU基于Arm Cortex-M33处理器及其TrustZone,用于Armv8-M与ST安全实施结合。STM32L552RET6的主要参数包括:核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32 位单核速度:110MHz连接能力:CANbus,I2C,IrD…STM32H725IGT3
STM32H725IGT3高性能MCU基于Arm Cortex-M7 32位RISC内核,工作频率高达480MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU),支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。技术规格S…电话咨询:86-755-83294757
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