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DIF065SIC030是 Diotec Semiconductor 推出的碳化硅（SiC）MOSFET 器件，属于其 SiC 功率半导体产品线。DIF065SIC030采用 4H-SiC 晶型衬底，具备宽禁带（约 3.2eV）、高临界击穿电场（约 2.8 MV/cm）及高热导率等优势，适合高温、高压、高频应用‌。

技术参数

封装 / 箱体：TO-247-4

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：105 A

Rds On-漏源导通电阻：30 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 4 V, + 18 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

Qg-栅极电荷：145 nC

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 175 C

通道模式：Enhancement

商标名：DIF065SIC030

商标：Diotec Semiconductor

配置：Single

正向跨导 - 最小值：38 S

产品：MOSFETs

产品类型：SiC MOSFETS

晶体管类型：1 N-Channel

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