IDW80C65D1器件是一款80A的Rapid 1开关发射极控制硅功率二极管,采用TO-247高级隔离封装,适用于650V的电压环境。该器件设计灵活,输出功率高,冷却效果低,可靠性高,具有电气隔离功能。
特征描述
1.35 V 温度稳定正向电压(VF)
极高柔软度—实现最终柔软度和低 EMI 滤波的因素
极低的 Irrm 可在升压开关上提供低开通损耗
适合开关频率在 18 kHz 到 40 kHz之间的应用
关键参数
产品:IDW80C65D1
封装 / 箱体:TO-247-3
峰值反向电压:650 V
最大浪涌电流:320 A
If - 正向电流:80 A
配置:Dual
恢复时间:77 ns
Vf - 正向电压:1.35 V
Ir - 反向电流 :40 uA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 175 C
型号
品牌
封装
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描述
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IMDQ75R004M2H功率器件是(Infineon)推出的 CoolSiC™ MOSFET ,属于第二代碳化硅技术产品,适用于高效电力电子设计。IMDQ75R004M2H具有以下关键参数:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):840 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):357A(Tc)驱动电压(…AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2H是(Infineon)推出的第二代碳化硅MOSFET,具有改进的开关性能、更低的损耗和增强的热管理。与第 1 代产品相比,开关速度提高了 25%,品质因数提高了 35%,为汽车应用提供了更高效、更紧凑、更可靠的系统。关键参数FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能强力防止单极栅极驱动的寄生导通特性。该MOSFET在图腾柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬开关拓扑中提供出色的性能。技术规格FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC™ 系列汽车级碳化硅MOSFET ,属于750V第二代产品,采用Q-DPAK顶侧散热封装。以下是其核心参数与适用场景:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):840 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)驱动电压(最…电话咨询:86-755-83294757
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