商品名称:TPCA8064-H
数据手册:TPCA8064-H.PDF
品牌:TOSHIBA
年份:15+
封装:DFN
货期:原装现货
库存数量:34280 件
TPCA8064-H 表面贴装型 N 通道 30 V 20A(Ta),1.6W(Ta),32W(Tc),8-SOP Advance(5x5)
特征
(1) 由于采用小而薄的封装,占地面积小
(2) 高速开关
(3) 栅极变化小。QSW=5.0 nC(典型值)。
(4) 低漏极-源极导通电阻。RDS(ON) = 7.9 mΩ(典型值)(VGS = 4.5 V)
(5) 低泄漏电流:IDSS = 10 µA(最大值)(VDS = 30 V)。
(6) 增强型模式。Vth = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)
应用
- 高效的DC-DC转换器
- 笔记本电脑
- 移动手持设备
型号
品牌
封装
数量
描述
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TMPM3HLFDAUG
Toshiba TMPM3H Arm 微控制器采用Arm Cortex M3内核,有64引脚至144引脚和7种封装类型可供选择。TMPM3H微控制器具有振荡频率检测器(OFD)、异常系统时钟检测和八级电压检测(LVD)电路(可产生中断和复位输出)。应用领域广泛应用于消费产品和工业产品,包括家用电器、…TW140Z120C
TW140Z120C是一款采用TO-247-4封装形式的20A、1200V第三代碳化硅MOSFET,设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW140Z120C的规格FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)…TW060Z120C
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TW045Z120C —— 40A、1200V第三代碳化硅MOSFETFET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):62 毫欧 @ 20A,18V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)…TW015Z120C
TW015Z120C是一款100A、1200V第三代碳化硅MOSFET器件,设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW015Z120C(参数)FET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流…TW015Z65C
TW015Z65C是一款100A、650V第三代碳化硅MOSFET,具有高电压、更快开关和更低的导通电阻。该MOSFET设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW015Z65C(参数)FET 类型:N 通道技术…电话咨询:86-755-83294757
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