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STM32H747ZIY6TR 基于高性能Arm® Cortex®-M7和Cortex®-M4 32位RISC内核。Cortex®-M7内核工作频率高达480 MHz，Cortex®-M4内核工作频率高达240 MHz。这两个内核都具有浮点单元（FPU），支持Arm®单精度和双精度（Cortex®-M7内核）操作和转换（符合IEEE 754标准），包括全套DSP指令和内存保护单元（MPU），以提高应用安全性。

STM32H747ZIY6TR 集成了高速嵌入式存储器，具有高达200万字节的双组闪存、高达100万字节的RAM（包括192KB的TCM RAM、高达864KB的用户SRAM和4KB的备份SRAM），以及连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连的大量增强I/O和外设。

特性

核心

具有双精度FPU和L1高速缓存的32位Arm® Cortex®-M7内核：16KB数据和16KB指令高速缓存，支持从256位嵌入式闪存单次。

支持从256位嵌入式闪存单次访问一条高速缓存线；频率高达400MHz，MPU、856DMIPS/2.14DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令

存储器

高达2Mbyte闪存，具有同时读写能力

1mb的ram：192kb的tcm ram（包括64kb的itcm ram + 128kb的dtcm ram，用于存储时间敏感的关键程序或数据）、864kb的用户sram，以及4kb备份域sram

双模Quad-SPI存储器接口，运行频率高达133MHz

具有高达32位数据总线的灵活外部存储器控制器：在同步模式下，SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存的时钟频率高达133MHz

CRC计算单元

安全性

ROP、PC-ROP、主动篡改

通用输入/输出

多达168个具有中断能力的i/o端口

运行速率高达133MHz的快速I/O

多达164个5V容差I/O

复位和电源管理

3个独立的电源域，可以独立地进行时钟门控或关闭，以最大限度地提高电源效率。

D1：可实现高带宽的高性能外设

D2：通信外设和计时器

D3：复位/时钟控制/电源管理

1.62V至3.6V应用电源和I/O

嵌入3.3V内部稳压

嵌入3.3V内部稳压器的专用usb电源，可为内部phy供电

具有可配置的可扩展输出的嵌入式稳压器（LDO），为数字电路供电。

在运行和停止模式下进行电压调节（5个可配置范围）。

备份稳压器 (~0.9V)

模拟外设的参考电压/Vref+

低功耗模式：睡眠、停止、待机以及vbat支持电池充电

低功耗

总电流消耗低至4μA

时钟管理

内部振荡器：64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI

外部振荡器：4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE

3个带分数模式的PELL（1个用于系统时钟，2个用于内核时钟）。

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。