商品名称:STM32H753ZIT6
数据手册:STM32H753ZIT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:LQFP-144
货期:全新原装
库存数量:1500 件
STM32H753ZIT6 高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度,支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。
特性
核心
具有双精度FPU和L1高速缓存的32位 Arm® Cortex®-M7内核:16KB数据和16KB指令高速缓存,
支持从256位嵌入式闪存单次访问一条高速缓存线;频率高达400MHz,MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令
存储器
高达2Mbyte闪存,具有同时读写能力
1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM,用于存储时间敏感的关键程序或数据)、864KB的用户SRAM,以及4KB备份域SRAM
双模Quad-SPI存储器接口,运行频率高达133MHz
具有高达32位数据总线的灵活外部存储器控制器:在同步模式下,SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存的时钟频率高达133MHz
CRC计算单元
安全性
ROP、PC-ROP、主动篡改
通用输入/输出
多达168个具有中断能力的I/O端口
运行速率高达133MHz的快速I/O
多达164个5V容差I/O
复位和电源管理
3个独立的电源域,可以独立地进行时钟门控或关闭,以最大限度地提高电源效率:
D1:可实现高带宽的高性能外设
D2:通信外设和计时器
D3:复位/时钟控制/电源管理
1.62V至3.6V应用电源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
嵌入3.3V内部稳压器的专用USB电源,可为内部PHY供电
具有可配置的可扩展输出的嵌入式稳压器 (LDO),可为数字电路供电
在运行和停止模式下进行电压调节(5个可配置范围)
备份稳压器 (~0.9V)
模拟外设的参考电压/VREF+
低功耗模式:睡眠、停止、待机以及VBAT支持电池充电
低功耗
总电流消耗低至4μA
时钟管理
内部振荡器:64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
外部振荡器:4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
3个带分数模式的PLL(1个用于系统时钟,2个用于内核时钟)
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
LQFP-144
5000
ARM® Cortex®-M33 STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 512KB(512K x 8) 闪存 144-LQFP(20x20)
ST
UFBGA-144
1000
ARM® Cortex®-M33 STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 512KB(512K x 8) 闪存 144-UFBGA(10x10)
ST
LQFP-100
5000
ARM® Cortex®-M33 STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 512KB(512K x 8) 闪存 100-LQFP(14x14)
ST
UFBGA-100
5000
ARM® Cortex®-M33 STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 512KB(512K x 8) 闪存 100-UFBGA(7x7)
ST
LQFP-64
5000
ARM® Cortex®-M33 STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 512KB(512K x 8) 闪存 64-LQFP(10x10)
ST
LQFP-48
5000
ARM® Cortex®-M33 STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 512KB(512K x 8) 闪存 48-LQFP(7x7)
ST
UFBGA-64
20000
ARM® Cortex®-M0 STM32F0 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 256KB(256K x 8) 闪存 64-UFBGA(5x5)
ST
UFQFPN-48
5000
ARM® Cortex®-M33 STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 512KB(512K x 8) 闪存 48-UFQFPN(7x7)
ST
LQFP-144
5000
ARM® Cortex®-M33 STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 256KB(256K x 8) 闪存 144-LQFP(20x20)
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意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
STM32H523ZET6
概述:STM32H523ZET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523ZEJ6
概述:STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VET6
概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523CET6
概述:STM32H523CET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523CET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用48引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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