商品名称：IPS65R1K4C6
数据手册：
Infineon-IPS65R1K4C6-DS-v02_01-EN.pdf
品牌：INFINEON
年份：21+
封装：TO-251
货期：全新原装
库存数量：5000 件
类型 | 描述 |
|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
制造商 | Infineon Technologies |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
漏源电压（Vdss） | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A（Tc） |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1A，10V |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.5 nC @ 10 V |
Vgs（最大值） | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 225 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散（最大值） | 28W（Tc） |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO251-3-11 |
封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
型号
品牌
封装
数量
描述
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