商品名称:VNH5050ATR-E
数据手册:VNH5050ATR-E.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:HSSOP36
货期:全新原装
库存数量:5000 件
VNH5050ATR-E是一款全桥电机驱动器,用于广泛的汽车应用。该器件集成了一个双单片高压侧驱动器和两个低压侧开关。所有开关均采用意法半导体®众所周知且经过验证的VIPower®M0专利技术设计,该技术可在同一芯片上有效地集成真正的功率MOSFET和智能信号/保护电路。这三个裸片被组装在PowerSSO-36 TP封装中,并置于电气隔离的引线框架上。这种封装是专门为恶劣的汽车环境设计的,由于裸露的芯片焊盘,它具有更好的热性能。此外,其完全对称的机械设计使板级的可制造性更强。输入信号INA和INB可以直接连接到微控制器,以选择电机方向和制动状态。DIAGA/ENA或DIAGB/ENB,当连接到一个外部上拉电阻时,可启用电桥的一条腿。每个DIAGA/ENA也提供了一个数字诊断反馈信号。正常工作状态在真值表中有说明。CS引脚在CS_DIS引脚被驱动为低电平或保持开放时,通过提供与其数值成比例的电流来监测电机电流。当CS_DIS被驱动到高电平时,CS引脚处于高阻抗状态。高达20KHz的PWM允许在所有可能的条件下控制电机的速度。在任何情况下,PWM引脚的低电平状态都会关闭LSA和LSB开关。
所有特征
输出电流:30A
3 V CMOS兼容输入
欠压和过压关断
过电压钳制
热关断
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功率消耗
高达20KHz的PWM操作
防止失去地线和失去VCC的保护
电流感应输出与电机电流成正比
输出保护,防止对地短路和对VCC短路
封装: ECOPACK®
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描述
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STW48N60M6
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STF22NM60N是采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。STM32F302K8U6TR
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VND7030AJTR该器件是一款双通道高压侧驱动器,采用意法半导体专有的 VIPower M0- 7 技术制造,采用 PowerSSO-16 封装。电话咨询:86-755-83294757
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