商品名称:VNH5050ATR-E
数据手册:VNH5050ATR-E.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:HSSOP36
货期:全新原装
库存数量:5000 件
VNH5050ATR-E是一款全桥电机驱动器,用于广泛的汽车应用。该器件集成了一个双单片高压侧驱动器和两个低压侧开关。所有开关均采用意法半导体®众所周知且经过验证的VIPower®M0专利技术设计,该技术可在同一芯片上有效地集成真正的功率MOSFET和智能信号/保护电路。这三个裸片被组装在PowerSSO-36 TP封装中,并置于电气隔离的引线框架上。这种封装是专门为恶劣的汽车环境设计的,由于裸露的芯片焊盘,它具有更好的热性能。此外,其完全对称的机械设计使板级的可制造性更强。输入信号INA和INB可以直接连接到微控制器,以选择电机方向和制动状态。DIAGA/ENA或DIAGB/ENB,当连接到一个外部上拉电阻时,可启用电桥的一条腿。每个DIAGA/ENA也提供了一个数字诊断反馈信号。正常工作状态在真值表中有说明。CS引脚在CS_DIS引脚被驱动为低电平或保持开放时,通过提供与其数值成比例的电流来监测电机电流。当CS_DIS被驱动到高电平时,CS引脚处于高阻抗状态。高达20KHz的PWM允许在所有可能的条件下控制电机的速度。在任何情况下,PWM引脚的低电平状态都会关闭LSA和LSB开关。
所有特征
输出电流:30A
3 V CMOS兼容输入
欠压和过压关断
过电压钳制
热关断
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功率消耗
高达20KHz的PWM操作
防止失去地线和失去VCC的保护
电流感应输出与电机电流成正比
输出保护,防止对地短路和对VCC短路
封装: ECOPACK®
型号
品牌
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描述
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STGHU30M65DF2AG
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STGWA60H65DFB是一种650 V、60 A的高速沟槽栅场截止IGBT器件,其采用先进的专有沟栅场运算结构开发,旨在实现传导和开关损耗之间的最佳折衷,以提高任何变频器的效率。其技术规格和典型应用如下:技术规格IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):650 V电流…STGWA40M120DF3
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STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT,因其低损耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特别适合需要高性能和高效率的逆变器系统。其技术规格和应用场景如下:技术规格IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电极 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速沟槽栅场截止HB系列IGBT。该产品采用先进的专有沟槽栅场截止结构,旨在优化导通和开关损耗的平衡,从而提高任何频率转换器的效率。其技术规格和典型应用如下:技术规格IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):650 V电…电话咨询:86-755-83294757
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