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UCC23313BQDWYRQ1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS 基础型隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。

UCC23313BQDWYRQ1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于 汽车电机驱动器 ，例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

特性

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准

具有光兼容输入的 3.75kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器

适用于光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚普适版升级

可输出 4.5A 峰值拉电流、5.3A 峰值灌电流

最高 33V 输出驱动器电源电压

8V (B) 或 12V VCC UVLO 选项

轨到轨输出

105ns（最大值）传播延迟

25ns（最大值）器件对器件延迟匹配

35ns（最大值）脉宽失真度

150kV/µs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)

隔离栅寿命大于 50 年

输入级具有 13V 反极性电压处理能力，支持互锁

扩展型 SO-6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm

运行结温 TJ：–40°C 至 +150°C

提供功能安全

可帮助进行功能安全系统设计的文档

安全相关认证：

符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 标准的 6000VPK 基础型隔离（进展中）

符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3.75kVRMS 隔离

应用

工业电机控制驱动

工业电源、UPS

太阳能逆变器

感应加热

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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