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ISO5851QDWRQ1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器，具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时，栅极驱动器输出会被拉低为 VEE2 电势，从而将 IGBT 立即关断。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存，可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

ISO5851QDWRQ1 特性

• 适用于汽车电子 标准

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:

– 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围

– 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A

– 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6

• 在 VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs

• 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流

• 短暂传播延迟：76ns（典型值），110ns（最大值）

• 2A 有源米勒钳位

• 输出短路钳位

• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警，并通过 RST 复位

• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定(UVLO)

• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平

• 3V 至 5.5V 输入电源电压

• 15V 至 30V 输出驱动器电源电压

• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入

• 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声

• 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK”

ISO5851QDWRQ1 应用

• 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物

半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器：

– 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块

– 工业电机控制驱动

– 工业电源

– 太阳能逆变器

– 感应加热

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