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NTMFS0D9N03CGT1G 功率 MOSFET，30V，N 沟道，0.9mΩ，298A，SO8FL 5x6mm

特点

• 先进的封装（5x6毫米），具有良好的热传导性

• 超低RDS(on)，提高系统效率

• 这些器件不含铅、不含卤素/溴化阻燃剂，符合RoHS标准

应用

• 热插拔应用

• 电源负载开关

• 电池管理和保护

产品属性

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8FL-4

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:298 A

Rds On-漏源导通电阻:900 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Qg-栅极电荷:131.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:144 W

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。