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深圳市明佳达电子有限公司
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VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 仪表放大器 PCI Express 交换机 汽车系统芯片 安全与认证IC 均衡器/驱动器/中继器 PCI 接口 IC ​PCIe交换机 接口 - 多协议收发器 电力线收发器 锁相环 - PLL 射频采样收发器 逻辑 - 电平转换器 接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器 OCuLink连接器 线对板连接器

传感器

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存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

AI 加速器

首页 /集成电路（IC）/功率器件/碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：IMW65R060M2H

商品名称：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：TO-247-3

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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技术参数

制造商
INFINEON
型号
IMW65R060M2H
封装
TO-247-3
描述
650V、60mΩ、碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管，TO-247-3

产品描述

IMW65R060M2H是一款 650V、60mΩ、碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管，以下是关于IMW65R060M2H的详细介绍：


型号：IMW65R060M2H

封装：TO-247-3

类型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管


IMW65R060M2H - 产品规格：

产品种类: 碳化硅MOSFET

安装风格: 通孔

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 32.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5.6 V

Qg-栅极电荷: 19 nC

最小工作温度：- 55℃

最大工作温度：+ 175℃

Pd-功率耗散：130 W


IMW65R060M2H - 特征描述：

优异的性能指标（FOM）

同类最佳的 RDS(on)

高稳定性和整体质量

灵活的驱动电压范围

支持单极驱动（VGSoff=0）

最佳的抗导通效应

通过 .XT 改进封装互连


应用领域：

储能系统

单相组串式逆变器解决方案

电动汽车快速充电


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型号

品牌

封装

数量

描述

FF8MR12W1M1HC58

INFINEON

模块

3000

1200V，EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFET 半桥模块

FF300R12W2T7EB11

INFINEON

模块

3000

1200V，300mΩ，EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET 半桥模块

FF200R12W2T7EB11

INFINEON

模块

3000

1200V，200mΩ，EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET 半桥模块

FF150R12W2T7EB11

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模块

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1200V，150mΩ，EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET 半桥模块

FF6MR20W2M1HB70

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模块

3000

2000V，6mΩ，EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET半桥模块

IMZC120R040M2H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、40mΩ、CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管，TO-247-4

IMZC120R026M2H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、26mΩ、CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管，TO-247-4

IMZC120R022M2H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、22mΩ、CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管，TO-247-4

IMZC120R017M2H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、17mΩ、CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管，TO-247-4

IMZC120R012M2H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、12mΩ、CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管，TO-247-4

常见问题

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    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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