FS3L400R10W3S7FB11是一款EasyPACK™ 950 V 200 A Easy3B模块，搭载TRENCHSTOP™ IGBT7 CoolSiC™ 肖特基二极管、PressFIT 压接管脚和温度检测NTC。
特点：
• 电气特性
- VCES = 950 V
- IC nom = 200 A / ICRM = 300 A
- CoolSiCTM 碳化硅肖特基二极管第 5 代
- 低开关损耗
- 沟槽栅 IGBT7
• 机械特性
- 集成 NTC 温度传感器
- 低热阻的三氧化二铝 Al2O3 衬底
- PressFIT 压接技术
- 紧凑型设计
应用：
• 三电平应用
• 太阳能应用
• UPS 系统
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要，在这些应用中，价格/性能、实时响应性、计算能…
FF800R12KE7PE
FF800R12KE7PE是62 mm 1200 V, 800 A 低饱和压降的Fast trench IGBT半桥模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7和发射极控制第7代二极管。也可提供预涂导热介质版本。电气特性：- VCES = 1200 V- IC nom = 800 A / ICRM = 1600 A- 沟槽栅 IGBT7- VCEsat 带正温度系数机械特性：- 标…
FF75R12W1T7EB11
FF75R12W1T7EB11是一款1200 V 75 A IGBT模块。特点：VCES = 1200 VIC nom = 75 A / ICRM = 140 A增加功率密度低损耗，符合高能效要求实现损耗与EMI之间的最佳平衡降低系统成本应用：不间断电源（UPS）工业电机驱动和控制
FF300R12ME7PB11
FF300R12ME7PB11是一款EconoDUAL™ 3 1200 V/300 A TRENCHSTOP™ IGBT7 半桥模块，采用第七代发射极控制二极管、NTC 和 PressFIT 压接工艺。 电气特性：- VCES = 1200 V- IC nom = 300 A / ICRM = 600 A- VCEsat 带正温度系数- 沟槽栅 IGBT7- 集成温度传感器机械特性：…
FF100R12W1T7EB11
FF100R12W1T7EB11是1200 V、100 A 基于EasyPACK™ 2B封装的六单元IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第七代发射极控制二极管和PressFIT压接技术，模块内集成有NTC。电气特性VCES = 1200VIC nom = 100A / ICRM = 200A低VCEsat沟槽栅IGBT7过载操作达175C应用• UPS系统• …
FF1600R12IP7
FF1600R12IP7是一款1200 V 1600 A PrimePACK™ 2 双IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7技术、发射极控制EC7二极管和NTC温度传感器。特点：• 电气特性- VCES = 1200 V- IC nom = 1600 A / ICRM = 3200 A- 提高工作结温 Tvj op- 低 VCEsat• 机械特性- 4 kV 交流 1 分钟 绝…电话咨询：86-755-83294757
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