商品名称:IMBG120R060M1H
数据手册:IMBG120R060M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-263-7
货期:全新原装
库存数量:1200 件
IMBG120R060M1H是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 60 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET,它基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装,将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合,可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
特征描述
极低的开关损耗
短路能力:3 µs
dV/dt完全可控
栅极阈值电压典型值:VGS(th) = 4.5 V
出色的抗寄生导通能力,能够实现0V关断
牢固的体二极管,可用于硬开关
.XT互联技术,实现一流的热性能
封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
Sense引脚,优化了开关性能
IMBG120R060M1H 产品属性
产品种类:MOSFET
技术:SiC
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PG-TO263-7
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Id-连续漏极电流:36 A
Rds On-漏源导通电阻:83 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V
Qg-栅极电荷:34 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:181 W
通道模式:Enhancement
商标名:CoolSiC
系列:Trench/Fieldstop IGBT4 - E4
配置:Single
下降时间:9.8 ns
正向跨导 - 最小值:7 S
产品类型:MOSFET
上升时间:4.8 ns
工厂包装数量: 1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:8.9 ns
型号
品牌
封装
数量
描述
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