商品名称:IMZA65R039M1H
数据手册:IMZA65R039M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-247-4
货期:全新原装
库存数量:12250 件
IMZA65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。
英飞凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而加快开关速度,提高效率。
特征描述
低电容
更高电流下经过优化的开关行为
具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的整流稳健快速体二极管
卓越的门极氧化可靠性
出色的热性能
更高的雪崩耐量
可使用标准驱动程序
4 引脚封装
潜在应用
服务器
电信系统
SMPS
太阳能系统
储能和电池信息
UPS
电动汽车充电
电机驱动器
型号
品牌
封装
数量
描述
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