IPF026N15NM6 - OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管,150V 正常电平,采用 D²PAK 7 引脚封装
概述:
IPF026N15NM6 - OptiMOS™ 6 150V 正常电平在竞争激烈的 150V 市场中树立了新的性能典范。OptiMOS™ 6 150 V 技术旨在满足高、低开关频率应用以及硬开关和软开关的要求。
IPF026N15NM6 - 产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A (Ta), 239A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.5mOhm @ 100A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 276µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):137 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9900 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),395W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-7-3
封装/外壳:TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
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描述
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