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这种先进的平面条纹HEXFET®功率MOSFET采用最新的工艺技术，实现了极低的每硅面积导通电阻。该HEXFET功率MOSFET的其他特点是175°C结工作温度、低RθJC、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这种组合使该设计成为一种非常有效和可靠的选择，适用于各种应用。

产品规格

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 75 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 106A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7 毫欧 @ 82A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5310 pF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 200W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 D2PAK 

典型应用

工业汽车

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