概述:
STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm® Cortex®-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone®技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。
STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的UFBGA封装。
规格
核心处理器:ARM® Cortex®-M33
内核规格:32-位
速度:250MHz
连接能力:CANbus,FIFO,I2C,IrDA,LINbus,MMC/SD/SDIO,SMBus,SPI,UART/USART,USB
外设:掉电检测/复位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT
I/O 数:112
程序存储容量:512KB(512K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:-
RAM 大小:272K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 3.6V
数据转换器:A/D 20x10b SAR
振荡器类型:外部,内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:144-UFBGA(10x10)
封装/外壳:144-UFBGA
型号
品牌
封装
数量
描述
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意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
STW48N60M6
STW48N60M6 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道功率 MOSFET,属于 MDmesh™ M6 系列。STF22NM60N
STF22NM60N是采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。STM32F302K8U6TR
STM32F302K8U6TR 是 STMicroelectronics 推出的一款基于 ARM Cortex-M4 内核的高性能微控制器VN7140ASTR
VN7140ASTR是单通道高压侧驱动器,采用意法半导体专有的 VIPower M0-7 技术制造,采用 SO-8 封装。STA5635
STA5635 是一款高性能、高集成度的射频前端模块 (FEM),专为 2.4 GHz 无线通信应用设计。VND7030AJTR
VND7030AJTR该器件是一款双通道高压侧驱动器,采用意法半导体专有的 VIPower M0- 7 技术制造,采用 PowerSSO-16 封装。电话咨询:86-755-83294757
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