2ED2388S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于英飞凌的SOI技术，具有出色的耐用性和抗扰性，能够在瞬态电压下在VS引脚上高达-11VDC的负电压（VCC = 15 V）下保持操作逻辑。
特性
独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
负抗扰度与-100 V的瞬态抗扰度
为自举操作设计的浮动通道
工作电压（VS节点）高达+ 650 V
+ 675 V的最大自举电压（VB节点）
集成超快速、低电阻自举二极管
100 ns死区时间，集成直通防止逻辑
VS引脚上的逻辑工作电压最高可达–11V
–5V输入的负电压容差
两个通道独立欠压锁定
具有迟滞的施密特触发器输入
兼容3.3 V、5 V和15 V输入逻辑
最大电源电压为25 V
DSO-8封装
符合RoHS标准
应用
照明和控制
工业照明（大功率）
电机控制
通用逆变器
型号
品牌
封装
数量
描述
ADI
SOIC-16
9000
ARM 微控制器 - MCU 超低功耗双核 Arm Cortex-M4 MCU 64 MHz，Cortex-M0+ 32 MHz 512 Kbytes
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