IMBG120R008M2H采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V、8 mΩ G2 在第 1 代技术优势的基础上，加快了成本优化、高效、紧凑和可靠解决方案的系统设计。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
特性概述
在 VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，RDS(on) = 7.7 mΩ
开关损耗极低
过载工作温度高达 Tvj = 200°C
短路耐受时间 2 µs
基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.2 V
可防止寄生导通，可采用 0 V 关断栅极电压
坚固的体二极管可实现硬换向
采用 .XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能
优势
能效更高
冷却优化
功率密度更高
新的坚固性功能
高度可靠
应用
电动汽车充电
工业电机驱动和控制
光伏
不间断电源 (UPS)
型号
品牌
封装
数量
描述
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