LMG2100R044RARR - GaN FET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：LMG2100R044RARR

商品名称：半桥 GaN FET

品牌：TI

年份：24+

封装：WQFN-16

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

型号

LMG2100R044RARR

封装

WQFN-16

描述

100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET，带集成驱动器和保护功能

产品描述

LMG2100R044RARR 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管。该器件由两个 100V 氮化镓场效应晶体管组成，由一个高频 90V 氮化镓场效应晶体管驱动器以半桥配置驱动。

特点

集成式 4.4mΩ 半桥 GaN FET 和驱动器

90V 连续、100V 脉冲额定电压

封装经过优化，便于 PCB 布局

高转换率开关，低振铃

5V 外部偏置电源

支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平

栅极驱动器开关频率高达 10MHz

出色的传播延迟（典型值为 33ns）和匹配（典型值为 2ns）

内部自举电源电压箝位，防止 GaN FET 过驱动

电源轨欠压锁定保护

低功耗

顶部裸露的 QFN 封装，用于顶部冷却

大 GND 焊盘，用于底部冷却

应用

降压、升压、降压-升压转换器

LLC 转换器

太阳能逆变器

电信和服务器电源

电机驱动

电动工具

D 类音频放大器

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。