NTTFS3D7N06HLTWG - 60V、3.9mΩ N 沟道屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET 晶体管
型号：NTTFS3D7N06HLTWG
封装：8-PQFN
类型：MOSFET 晶体管
描述：MOSFET - 单 N 沟道 60V，3.9mΩ
产品概述
NTTFS3D7N06HLTWG - 这款 N 沟道 MV MOSFET 采用先进的 PowerTrench® 工艺生产，该工艺结合了屏蔽栅极技术。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
产品特性
在 VGS = 10 V、ID = 23 A 时，最大 rDS(on) = 3.9 mΩ
低 Qg/Coss
屏蔽门 MOSFET 技术
VGS = 4.5 V 时，最大 rDS(on) = 5.2 mΩ，ID = 18A
MSL1 强大的封装设计
极低 RDS(on) 的高性能技术
100% UIL 测试
符合 RoHS 规范
典型应用
- 直流-直流降压转换器
- 负载点
- 高效负载开关和低端开关
- 折边 FET
型号
品牌
封装
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描述
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