NTTFS010N10MCLTAG - 100V、50A 屏蔽栅极、N 沟道功率 Trench® MOSFET 晶体管
型号:NTTFS010N10MCLTAG
封装:8-WDFN
类型:MOSFET 晶体管
描述:N 沟道 100V 10.7A (Ta),50A (Tc) 2.3W (Ta),52W (Tc) 表面贴装 8-WDFN (3.3x3.3)
产品概述
NTTFS010N10MCLTAG - N 沟道 POWETRENCH® MOSFET 采用 onsemi 先进的 POWERTRENCH® 工艺生产,该工艺采用屏蔽门技术。该工艺经过优化,可最大限度地减小导通电阻,并通过同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。
产品特性
- 屏蔽栅 MOSFET 技术
- 在 VGS = 10 V、ID = 15 A 时,最大 rDS(on) = 10.6 m
- VGS = 4.5 V、ID = 12 A 时,最大 rDS(on) = 15.9 m
- Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50
- 降低开关噪声/EMI
- MSL1 强大的封装设计
- 100% 通过 UIL 测试
- 符合 RoHS 规范
应用
- 初级 DC-DC MOSFET
- DC-DC 和 AC-DC 中的同步整流器
- 电机驱动器
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描述
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