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NTMT125N65S3H - 采用 4-PowerTSFN 封装的 650V、24A N 沟道功率 MOSFET 晶体管

型号：NTMT125N65S3H

封装：4-TDFN

类型：MOSFET 晶体管

描述：N通道 650V 24A (Tc) 171W (Tc) 表面贴装 4-TDFN (8x8)

产品概述

NTMT125N65S3H - SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。SUPERFET III FAST MOSFET 适用于各种交流/直流电源转换，可实现系统小型化和更高效率。采用 Power88 封装的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生源电感和分离式电源与驱动源，因此开关性能极佳。

产品特性

700 V @ TJ = 150°C

通过坚固的体二极管实现快速开关性能

超低栅极电荷（典型值 Qg = 44 nC）

低有效输出电容（Typ. Coss(eff.) = 379 pF）

无引线超薄 SMD 封装

开尔文源配置

湿度灵敏度 1 级保证

典型值 RDS(on) = 108 m Ω

100% 雪崩测试

符合 RoHS 规范

内部栅极电阻：1.1 Ω

典型应用

- 电信/服务器电源

- 工业电源

- UPS / 太阳能

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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