NTMT125N65S3H - 采用 4-PowerTSFN 封装的 650V、24A N 沟道功率 MOSFET 晶体管
型号:NTMT125N65S3H
封装:4-TDFN
类型:MOSFET 晶体管
描述:N通道 650V 24A (Tc) 171W (Tc) 表面贴装 4-TDFN (8x8)
产品概述
NTMT125N65S3H - SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。SUPERFET III FAST MOSFET 适用于各种交流/直流电源转换,可实现系统小型化和更高效率。采用 Power88 封装的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生源电感和分离式电源与驱动源,因此开关性能极佳。
产品特性
700 V @ TJ = 150°C
通过坚固的体二极管实现快速开关性能
超低栅极电荷(典型值 Qg = 44 nC)
低有效输出电容(Typ. Coss(eff.) = 379 pF)
无引线超薄 SMD 封装
开尔文源配置
湿度灵敏度 1 级保证
典型值 RDS(on) = 108 m Ω
100% 雪崩测试
符合 RoHS 规范
内部栅极电阻:1.1 Ω
典型应用
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- UPS / 太阳能
型号
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封装
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描述
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