AIMZH120R120M1T - 采用 TO247-4L(细引线)的汽车级 1200V 碳化硅(SiC)沟槽功率 MOSFET 晶体管
型号:AIMZH120R120M1T
封装:TO-247-4
类型:MOSFET 晶体管
描述:N通道 1200V 22A (Tc) 133W (Tc) 通孔 PG-TO247-4-11
产品概述
AIMZH120R120M1T - SiC Mosfet 采用英飞凌性能优化芯片技术 (Gen1p),具有同类最佳的开关性能、对寄生开通的稳健性以及改进的 RDSon 和 Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、双向充电能力和显著降低的系统成本,使其成为车载充电器和 DCDC 应用的理想选择。
功能概述
开关损耗极低
更高的开启电压 VGS(on)= 20 V
同类最佳的开关能量
器件电容最低
低 Crss/Ciss 比和高 VGS(th),避免寄生导通
降低了总栅极电荷 QGtot,从而降低了驱动功率和损耗
.XT 裸片连接技术可实现最佳散热性能
感应引脚可优化开关性能
适合高压爬电要求
引线更细,可降低焊桥风险
潜在应用
板载充电器
直流/直流转换器
辅助驱动器
型号
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封装
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描述
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